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    圖像傳感器sensor

    來源:深圳市凱茉銳電子科技有限公司2025-04-01

    發(fā)展階段

    圖像傳感器的核心功能是將自然界的光線信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),所以可以稱之為電荷耦合器(這也是CCD (Charged Coupled Device)圖像傳感器名稱的由來)。常見的圖像傳感器分為CCD和CMOS兩種。在安防視頻監(jiān)控處于模擬標(biāo)清時(shí)代,CCD圖像傳感器是主流,比較有代表性的是SONY 639,673,811,都是模擬監(jiān)控時(shí)代的經(jīng)典產(chǎn)品。
    隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù),芯片技術(shù)發(fā)展,安防視頻監(jiān)控進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)高清時(shí)代以后,CCD圖像傳感器產(chǎn)品逐漸被淘汰,CMOS圖像傳感器成為主流,現(xiàn)在很難看到搭載CCD圖像傳感器的安防攝像機(jī)了。2010年起,CCD市場(chǎng)占有率不斷下降,2017年SONY停止生產(chǎn)CCD傳感器。在其他圖像視頻領(lǐng)域,比如機(jī)器視覺,醫(yī)療等還能看見CCD圖像傳感器的身影,特別是高級(jí)別的掃描儀以及軍方器材仍然為CCD所壟斷。

    分類

    圖像傳感器分為CCD和CMOS兩種。
    CCD即是Charged Coupled Device,電荷耦合器。電荷耦合器件(Char ge Coupled Device ),傳感器中每一行中每一個(gè)象素的電荷數(shù)據(jù)都會(huì)依次傳送到下一個(gè)象素中,由最底端部分輸出,再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進(jìn)行放大輸出。

    CMOS即Complementary Metal Oxide Semiconductor,翻譯成中文就是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體。與CCD不同,CMOS傳感器中每個(gè)象素都會(huì)鄰接一個(gè)放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路,用類似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。

    CCD傳感器技術(shù)1969年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的兩個(gè)科學(xué)家發(fā)明,1971年CCD圖像傳感器誕生。2009年這兩個(gè)科學(xué)家因?yàn)閷?duì)CCD發(fā)展的貢獻(xiàn)而榮獲諾貝爾物理獎(jiǎng)。
    CMOS技術(shù)出現(xiàn)的稍早一些,1963年由美國(guó)快捷半導(dǎo)體公司的一個(gè)工程師發(fā)明。最開始是作為一種集成電路的設(shè)計(jì)工藝,后來用這種工藝來生產(chǎn)有源像素感測(cè)器,也就是CMOS圖像傳感器。
    前面分析了CCD和CMOS的結(jié)構(gòu)的不同,正是因?yàn)檫@種不同影響了二者各自的優(yōu)缺點(diǎn)。
    同等條件下,CMOS使用的元器件相對(duì)少,因而功耗較低,數(shù)據(jù)吞吐速度也比CCD更快。同時(shí),CMOS由于每個(gè)像素上都有放大器,分別讀出數(shù)據(jù),導(dǎo)致圖像不一致性和噪聲大。而CCD僅從一個(gè)節(jié)點(diǎn)讀出數(shù)據(jù),圖像一致性好,噪聲少。

    CCD&CMOS比較

    分類

    分辨率

    靈敏度

    信噪比

    集成度

    功耗

    成本

    速度

    CCD


    優(yōu)

    優(yōu)





    CMOS




    優(yōu)

    優(yōu)

    優(yōu)

    優(yōu)

    主要技術(shù)參數(shù)

     

    低照:Starvis,SNR1s

     

     

    寬動(dòng)態(tài):WDR/DOL-HDR/BLC

     

     

    紅外:NIR

     

     

    像素:分辨率,靶面尺寸

     

     

    全局快門

     

     

    靈敏度,信噪比

     

     

    功耗

     

    常見圖像傳感器尺寸

    傳感器類型

    對(duì)角線(MM)

    寬度(MM)

    高度(MM)

    1/3″

    6

    4.8

    3.2

    1/2.5″

    7.182

    5.760

    4.290

    1/2″

    8

    6.4

    4.8

    1/1.8″

    8.933

    7.176

    5.319

    2/3″

    11

    8.8

    6.6

    1″

    16

    12.8

    9.6

    4/3″

    22.5

    18.8

    13.5

    全畫幅 - 35 mm

    43.3

    36

    24

    技術(shù)發(fā)展(以Sony為例)

     微信截圖_20250401113754.png

    2007年,Column-Parallel A/D conversion circuit-equipped CMOS image sensors。每個(gè)垂直行的像素都有一個(gè)A/D轉(zhuǎn)換器,以并行方式排列。在這種布置中,從垂直信號(hào)線讀取的模擬信號(hào)可以通過最小距離直接傳送到每一行的ADC,這減少了在模擬傳輸期間進(jìn)入信號(hào)的噪聲造成的圖像質(zhì)量損失,并且加快了信號(hào)的讀出。噪聲也通過雙重噪聲消除來降低。

     

     

    2009年,背照式CMOS圖像傳感器。從硅襯底的背面接收光線,增加了進(jìn)光量和光損失,提高了靈敏度。

     

     

    2012年,堆疊CMOS圖像傳感器。堆疊結(jié)構(gòu),像素部分和電路部分分層,實(shí)現(xiàn)更高分辨率,更多功能,結(jié)構(gòu)更緊湊。

     

     

    2015年,Cu-Cu連接器的堆疊CMOS圖像傳感器。像素芯片和邏輯電路芯片之間用銅片連接,無需通過像素芯片或特殊區(qū)域提供電氣連接,提高良片生產(chǎn)效率,生產(chǎn)更小尺寸的傳感器,擴(kuò)展更多功能。

     

     

    現(xiàn)在,AI sensor。在傳統(tǒng)sensor邏輯芯片層上加上AI功能,直接輸出結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù),或者可選AI模型。真正的edge AI。Sony的第一款A(yù)I cmos sensor IMX500/501。

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